碳化硅小镜片

高纯度、低缺陷密度的碳化硅单晶衬底，适用于半导体与外延生长。

参数 数值 / 规格
材料4H‑SiC / 6H‑SiC
直径2 inch – 6 inch（可定制）
晶向<0001>、<11‑20> 等
电阻率0.015 – 10000 Ω·cm
微管密度≤ 1 cm⁻²
表面粗糙度 (Ra)Ra < 0.3 nm
抛光单面/双面抛光
边缘倒角按客户要求
热导率490 W/(m·K)
热膨胀系数~4.0 × 10⁻⁶ /K
硬度莫氏硬度 9.2
定制支持尺寸、晶向、掺杂定制
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